可控硅和IGBT是现代电力电子领域中常用的两种功率半导体器件。虽然两者都能在电力控制和转换中发挥重要作用，但它们在结构、工作原理、性能特点和应用等方面存在着显著差异。本文将详细介绍可控硅和IGBT的区别
静止式进相器是串接在电机转子回路中，通过改变转子电流与转子电压的相位关系，进而改变电机定子电流与电压的相位关系，达到提高电机自身的功率因数和效率，提高电机过载能力、降低电机定子电流、降低电机自身损耗的目的
对瞬变电压的吸收功率(峰值)与瞬变电压脉冲宽度间的关系，手册给的只是特定脉宽下的吸收功率(峰值)，而实际线路中的脉冲宽度则变化莫测，事前要有估计，对宽脉冲应降额使用
肖特基二极管已经紧跟着科技的步伐进入到大家的生活以及工作中，业内人士都知道，肖特基二极管在使用中会有很多的问题。那么，肖特基二极管在实际应用中应该注意哪些事项呢
肖特基二极管快恢复二极管都属于快速二极管，一般情况下，这两种二极管是怎样进行工作的呢？普及一下肖特基二极管和快恢复二极管的自然属性
